2.3.2 DC/DC失效率模型

由式（2-9）展开，并参考FIDES标准关于HIC和MCM失效率预计模型[36]，厚膜DC/DC失效率为：

式中，λ_CP-i（T）是第i个内装元器件失效率，λ_TFM（T）是厚膜基板失效率，λ_ITC（T）是键合互连失效率，λ_Case（T）是封装外壳失效率。

仅考虑内装元器件的失效率贡献时，式（2-10）改写为：

由式（2-11）失效率模型，根据内装元器件总体失效率分配指标要求，可以分析温度应力下每个内装元器件对厚膜DC/DC总失效率的贡献，进而确定每个元器件的热降额指标或温度裕量。